机译:采用CMOS 65 nm技术的10位分段电流控制数模转换器的设计,用于在高辐射环境下偏置新一代读出芯片
机译:采用CMOS 65 nm技术的10位分段电流控制数模转换器的设计,用于在高辐射环境下偏置新一代读出芯片
机译:采用55 nm CMOS技术的3GS / s 12位电流控制数模转换器(DAC)
机译:采用55 nm CMOS技术的3GS / s 12位电流控制数模转换器(DAC)
机译:采用40nm CMOS的6位4GS / s电流控制数模转换器,具有可调偏置和DfT模块
机译:在65nm标准CMOS技术中使用多级突触的多核神经形态芯片设计
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:采用90 nm CmOs设计的10位1.2 Gs / s数模转换器